时间: 2024-12-17 13:58:28 | 作者: 通用变频器
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；晶闸管；二极管模块；整流桥模块；PLC模块；电容；变频器备件
北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；可控硅，电容，电源，风机，传感器，IPM模块;半导体功率模块;变频器配件 ，驱动板，控制板 ，CUVC板
IGBT芯片的功率损耗。这个值能够最终靠IGBT芯片厂家提供的datasheet中查到。通常来说，功率损耗越大，工作结温就越高。
IGBT芯片的封装方式。不同的封装方式会影响散热效率。一般来说，背面带有散热片的封装方式散热效果较好。
外部散热器的散热能力。外部散热器的散热能力也会影响工作结温。散热器的大小、材料以及通风情况都会影响散热效果。
如果考虑了以上因素后，能够正常的使用以下公式计算IGBT器件的工作结温Tvj：
其中， Ta是环境和温度，Pd是IGBT芯片的功率损耗，Rthjc是芯片与散热器结合部的热阻。
需要注意的是，这个公式只考虑了IGBT芯片本身的散热情况，并没考虑总系统的散热能力。因此，在实际应用中，还需要结合具体的系统情况来确定IGBT器件的工作结温。
北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。
销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、
英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、
红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。很适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司英飞凌IGBT模块FZ1600R12KF4-S1
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
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